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勤務地 京都府
業務内容 ■IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア ■IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築業務となります。

生産技術責任者/上場企業 
(~1,000万円)

グローバルに半導体・ディスプレイ分野の技術・製品およびソリューションを行う当社で、更なる事業拡大のため責任者ポジションを募集します。 機械・電子設計、光学設計をはじめとする生産技術の責任者をお任せし…

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勤務地 京都府
業務内容 ■GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価 ■GaNデバイスの海外拡販 【GaNパワーデバイスとは】 GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で...
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勤務地 福岡県
業務内容 ※ミツミ電機へ出向となります※ ■精密部品事業にてスイッチコイルの開発設計に携わります。  車載コイルであったり超小型コイルに関わります。 【ミツミ事業に関して】 2017年1月27日にミネベア株式会社とミツミ電機株式会社が経営統...
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勤務地 京都府
業務内容 SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。 既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。 【具体的...
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勤務地 京都府
業務内容 ■光センサーの設計/開発業務をご担当頂きます。 ■光学要素技術とIC回路技術を組み合わせての光センサー商品の設計・開発業務になります。 ■顧客との仕様打ち合わせ~工場での量産立ち上げに至るまで、1機種1担当として幅広い業務を行っていた...
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勤務地 栃木県
業務内容 ・タブリードの設計 ・タブリード案件の顧客スペックイン ・タブリード全般の製法開発、改良 ・海外拠点の指導 ※タブリードとはラミネート型電池の電極端子のことです。 ⇒アルミラミネートフィルムを外装に用いた  リチウムイオン電池及び...
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勤務地 神奈川県
業務内容 石英系光ファイバの製造プロセスの研究開発。 具体的には、石英系光ファイバ材料の合成、加工、その他 関連プロセスの新技術の研究開発を行う。
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勤務地 神奈川県
業務内容 光ファイバの開発をご担当頂きます。 ①光学設計 ②製造技術開発 ③光学評価
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勤務地 神奈川県
業務内容 光コネクタ、光接続部品の設計・開発、 及び、その製造設備、加工設備の設計・開発、顧客対応
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勤務地 神奈川県
業務内容 多心光コネクタの設計・製造技術開発、 及び、その製造設備、加工設備の設計・開発

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ポジション名/募集企業 生産技術責任者/上場企業
年収 ~1,000万円
職務概要 グローバルに半導体・ディスプレイ分野の技術・製品およびソリューションを行う当社で、更なる事業拡大のため責任者ポジションを募集します。 機械・電子設計、光学設計をはじめとする生産技術の責任者をお任せし…
このような方におすすめします 生産技術の花形ともいえる計画設計・マネジメントのポジション。 生産技術職のプロとしての実力を発揮するには最適な職場の一つといえるのではないでしょうか? 製品生産プロジェクトの豊富な経験をお持ちの方、光デバイス分野における知見のほか、プロジェクトをマネージメントされた方にもチャンスが広がり…

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